安徽硅通孔填充⼯艺TSV,铜电化学沉积

目前对TSV填充的研究主要集中在条件优化和填充机理上。
为了实现⽆缺陷的 TSV 填充，电镀溶液中的特定添加剂，即
氯离⼦、抑制剂和促进剂进⾏了深⼊研究 。与特定添加剂和
通孔结构相对应的佳电沉积参数已被⼴泛研究。. 在这些参
数中，电流密度对填充形态的影响尤为显着。尽管特定的添
加剂可以有效地实现⽆缺陷填充，但所需的步骤很复杂，沉
积速率低，相关成本⾼。为了克服添加剂辅助填充⽅法的缺
陷，⼴泛研究了脉冲电流、脉冲反向电流、周期性脉冲反向
电流和多步电流等电镀电流波形. 同时，已经引用了⼏种机制
来解释⽆缺陷填充过程，例如传统的流平模型、对流相关吸
附模型、时间相关传输-吸附模型和曲率增强加速器覆盖模
型。动态 TSV 填充对于 TSV 填充研究的各个⽅面都很重要。
它是优化条件的基础，反映了填充模型的机制。然⽽，现有
的研究只关注在特定时刻获得的填充结果。很少系统地研究
连续和全面的动态 TSV 填充过程。在这项研究中，我们通过
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验证明了 TSV 动态填充
过程。获得了实现⽆缺陷填充的佳电流密度。讨论了电流
密度对填充模型的影响。此外，镀层的形态演变表明，局部
沉积速率受镀层⼏何特征的影响。

北京汐源科技有限公司
随着电子产品 半导体产品不断的更新换代 在国家对高科技产业的大力支持下 汐源科技同时也为电子 半导体行业提供良好的保障。
汐源科技电子材料：
灌封胶:洛德 汉高 道康宁 陶氏 杜邦等。广泛应用于电子电源 厚膜电路 汽车电子 半导体封装等行业。
导电胶： 3M 北京ablestik 北京Emerson&Cuming等.用于半导体 LED等行业
实验设备：提供X-RAY FIB 显微镜等。FBI 武藏点胶机 诺信点胶机 灌封机 实验室仪器仪表 TSV电镀设备 键合机 平行封焊机。
我们的电子化学材料含括：粘接胶 灌封材料 导电 导热界面材料 裸芯粘接材料 COB包封材料 CSP/Flip chip/BGA底部填充胶 贴片胶 电子涂料 UV固化材料。应用范围涉及电子元器件 电子组件 电路板组装 显示及照明工业 通讯 汽车电子 智能卡/射频识别 航天航空 半导体封装 晶圆划片保护液 晶圆临时键合减薄 键合金丝等领域。

在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔，在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。

北京汐源科技有限公司 汉高授权代理商，专注于电源、新能源、汽车电子、半导体行业胶黏剂产品，公司拥有一批高素质的技术人员，为了客户提供胶黏剂技术一站式解决方案。
公司主要经营品牌包含：汉高、乐泰、汉新、道康宁、洛德、3M等。
公司主要经营产品包含：导热胶、导电胶、灌封胶、密封胶、三防漆、导热垫片、UV胶、芯片保护液、晶圆划片液、晶圆临时键合胶、晶圆清洗液等。
经营设备：晶圆划片机 芯片键合机 点胶机 平行封焊机等。
失效分析技术：Decap开盖，x-ray，快速封装，陶瓷封装，管壳封装，气密性测试，拉力测试，剪切力测试等。

TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC