崇明供应LOWVF肖特基二极管现货供应

SBD的主要优点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极体大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值大可以到200V。

同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它是以多数载流子工作的整流器件，因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间trr很短 (小于几十ns)；同时，其正向压降V F 较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R 较低，一般只有 100V 左右；二是反向漏电流IR 较大。

肖特基二极管，也被称为肖特基势垒二极管或热载流子二极管，是一种利用金属与半导体接触形成的具有整流特性的器件。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管具有更低的正向压降和更快的开关速度，使其在高频、低功耗领域具有广泛的应用前景。

LOW VF肖特基二极管是一种正向压降比普通肖特基二极管低的半导体器件。它可以理解为性能更好、压降更低的升级肖特基二极管。因此，LOW VF肖特基二极管的压降越低，效率越高。因此，电压降越低，发热越低，LOW VF肖特基二极管的工作效率越高。
LOW VF肖特基二极管的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场合的高频整流，甚高频(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的检测和混频，以及高速逻辑电路中的箝位。LOW VF肖特基二极管也常用于集成电路，如肖特基二极管。TTL集成电路长期以来一直是TTL电路的主流，并广泛应用于高速计算机中。