产品别名 |
三极管,双极型晶体管,功率晶体管,晶体三极管 |
面向地区 |
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。
特性
1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通态压降很低
2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象
3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当次雪崩击穿后，加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。
主要应用
1、作为放大器，应用在电源串联调压电路，音频和超声波放大等领域。
2、作为大功率半导体开关，电视机行输出电路，电机控制，不停电电源和汽车电子。
3、GTR模块，应用于交流传动，逆变器和开关电源。
工作模式
1、当BE结正偏、CB结反偏时，功率晶体管处于放大模式。
2、当BE结合CB结均正偏时，功率晶体管处于饱和模式。
3、当BE结零偏或反偏、CB结反偏时，功率晶体管处于截止模式。
功率晶体管的放大作用表现为：用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流；或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。
