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TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺⼨等优点,被认为是三维集成的核
术。 TSV 结构如下图所示,在硅板上面有加⼯完成的通孔;在通孔内由内到外
依次为电镀铜柱、绝缘层和阻挡层。绝缘层的作用是将硅板和填充的导电 材料
之间进⾏隔离绝缘,材料通常选用⼆氧化硅。由于铜原⼦在 TSV 制 造⼯艺流
程中可能会穿透⼆氧化硅绝缘层,导致封装器件产品性能的下降 甚⾄失效,⼀
般用化学稳定性较⾼的⾦属材料在电镀铜和绝缘层之间加⼯ 阻挡层。后是用
于信号导通的电镀铜。
在电沉积⼯艺之前,对 TSV 芯片进⾏预处理以排除通孔中的
空⽓并润湿种⼦层。,将 TSV 芯片放⼊吸瓶中并浸⼊去
离⼦⽔中。然后,使用⽔循环泵将抽吸瓶抽空⾄负⽓氛。在
负压下,通孔中的空⽓被推⼊样品片表面。此外,应用间歇
性超声振动去除表面⽓泡,直⾄⽆⽓泡出现,表明预处理完
成。因此,TSV芯片迅速移动到电镀槽中并保持静⽌⾜够长
的时间以确保电镀溶液在通孔内充分扩散。
嵌⼊式玻璃扇出与集成天线封装
玻璃通孔还可以在玻璃上制作空腔,进⽽为芯片的封装提供⼀种嵌⼊ 式玻璃扇
出(eGFO)的新⽅案。2017年乔治亚理⼯率先实现了用于⾼I/O 密度和⾼频多芯
片集成的玻璃面板扇出封装。该技术在70um厚、⼤小为 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26个芯片的扇出封装,并有效的控 制芯片的偏移和翘曲。2020年
云天半导体采用嵌⼊式玻璃扇出技术开了 77GHz汽⻋雷达芯片的封装,并在此
基础上提出了⼀种⾼性能的天线封装 (AiP)⽅案。
北京汐源科技有限公司
LED、电源、新能源行业胶黏剂供应商,技术人员提供整体用胶解决方案。
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