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面向地区 |
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度,可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说,低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充,中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充,⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明,电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外,
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术,具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中,通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术,以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。
目
电沉积程序
预处理后,在不同的电流密度(4 mA/cm 2、5 mA/cm 2、7
mA/cm 2、10 mA/cm 2和15 mA/cm 2 )下进⾏电化学沉积
(ECD)⼯艺) 在的时间段内。低电流密度条件(4 mA/cm 2)
和中等电流密度条件(7 mA/cm 2 )的电沉积间隔分别为30
min和10 min。
TSV制作流程会涉及到深刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及RDL电 镀、清
洗、减薄、键合等⼆⼗余种设备,其中通孔制作、绝缘层/阻挡层/ 种⼦层的沉
积、铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等⼯序涉及的设备为关 键,在某种程度上
直接决定了TSV的性能指标。
深硅刻蚀设备
通常情况下,制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE),常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺,有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示,⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤,其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体,钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中,利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底,接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上,在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体,能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此,在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。
封装之TSV及TGV技术初探
其中,玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。
玻璃通孔⾼密度布线
线路转移(CTT)和光敏介质嵌⼊法,是比较常用的⽅式。 CTT主要 包括两个过
程。⼀是精细RDL线预制,每⼀RDL层可以在可移动载体上单 制造⼀层薄导
电层,并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。精 细线路的形成采用细
线光刻和电解镀铜的⽅法,并且以薄铜箔作为镀层的 种⼦层
主营行业:灌封胶水 |
公司主营:灌封胶,三防漆,导电胶,导热垫片--> |
采购产品:灌封胶,导热胶,导电胶,绝缘垫片 |
主营地区:北京 |
企业类型:有限责任公司(自然人投资或控股) |
注册资金:人民币2000000万 |
公司成立时间:2016-02-02 |
员工人数:小于50 |
经营模式:政府或其他机构 |
最近年检时间:2016年 |
登记机关:朝阳分局 |
经营范围:技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让,销售社会公共安全设备、电子产品、仪器仪表,橡塑制品、五金交电(不从事实体店铺经营)、金属材料、化工产品(不含危险化学品)、计算机、软件及辅助设备。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) |
公司邮编:100000 |
公司电话:010-65747411 |
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